WZPK134U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-134U,
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK133U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-133U,
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK506U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-506U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK505U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-505U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK504U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-504U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK503U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-503U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK406U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-406U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK306U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-306U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK204U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-204U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線(xiàn)經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線(xiàn)材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK476U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-476U，
 特點(diǎn) | |||||||||||||
| ●熱響應(yīng)時(shí)間少，減小動(dòng)態(tài)誤差； ●直徑小、長(zhǎng)度不受限制； ●測(cè)量精確度高； ●進(jìn)口薄膜電阻元件，性能穩(wěn)定。 | |||||||||||||
| 工作原理 | |||||||||||||
| 鎧裝熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時(shí)，其電阻也隨著發(fā)生變化的特征來(lái)測(cè)量溫度的。當(dāng)阻值變化時(shí)，工作儀表便顯示出電阻所對(duì)應(yīng)的溫度值。 | |||||||||||||
| 主要技術(shù)參數(shù) | |||||||||||||
| IEC751 IEC1515 JB/T8623－1997 JB/T8622－1997 | |||||||||||||
| ●鎧裝熱電阻保護(hù)帶直徑及材料 | |||||||||||||
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