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JK9610AMOS管測(cè)試儀

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一、概述　　

JK9610A型MOS管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以測(cè)量擊穿電VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。

二、主要技術(shù)性能　　　　

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、柵極開啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

三、主要測(cè)試功能　　　　

1、MOS管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

3、MOS管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。　　　　

4、對(duì)其它更大電流和MOS管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。　　　

　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。　　　　

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

四、測(cè)試盒與測(cè)試線　　　　

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。　　　

　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

測(cè)試實(shí)例

型號(hào)

擊穿電壓

Vdss

開啟電壓

Vgs（th）

跨導(dǎo)S

Gfs

測(cè)試電流

標(biāo)稱電流

標(biāo)稱功率

封裝

IRF640

基本參數(shù)

200V

2-4V

≥6.8

11A

18A

150W

TO-220

實(shí)測(cè)參數(shù)

225V

3.0V

11A

IRF1010

基本參數(shù)

60V

2-4V

≥69

50A

84A

200W

TO-220

實(shí)測(cè)參數(shù)

66V

3.2V

50A

IRF3205

基本參數(shù)

55V

2-4V

≥44

62A

110A

200W

TO-220

實(shí)測(cè)參數(shù)

60V

2.9V

60A

FQP70N08

基本參數(shù)

80V

2-4V

35A

70A

155W

TO-220

實(shí)測(cè)參數(shù)

86V

3.2V

35A

75NF75

基本參數(shù)

75V

2-4V

40A

80A

300W

TO-220

實(shí)測(cè)參數(shù)

81V

3.6V

40A

IRFP064

基本參數(shù)

55V

2-4V

≥42

59A

110A

200W

TO-3P

實(shí)測(cè)參數(shù)

67V

2.5V

60A

2SK1120

基本參數(shù)

1000V

2.5-5V

150W

TO-3P

實(shí)測(cè)參數(shù)

1086V

2.3V

G160N60

基本參數(shù)

600V

3.5-6.5V

80A

160A

250W

TO-247

實(shí)測(cè)參數(shù)

626V

3.9V

60A

H40T120

基本參數(shù)

1200V

5-6.5V

40A

75A

270W

TO-247

實(shí)測(cè)參數(shù)

1390V

5.7V

40A

60N170D

基本參數(shù)

1700V

3.5-7.5V

60A

200W

TO-247

實(shí)測(cè)參數(shù)

1798V

4.8V

60A

JK9610AJK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀(MOS管測(cè)試儀)

詳細(xì)說明

主要技術(shù)性能　　　　

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、柵極開啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

三、主要測(cè)試功能　　　　

1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。　　　　

4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。　　　

　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。　　　　

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

四、測(cè)試盒與測(cè)試線　　　　

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。　　　

　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

測(cè)試實(shí)例

型號(hào)		擊穿電壓 Vdss	開啟電壓 Vgs（th）	跨導(dǎo)S Gfs	Gfs 測(cè)試電流	標(biāo)稱電流 ID	標(biāo)稱功率 PD	封裝
IRF640	基本參數(shù)	200V	2-4V	≥6.8	11A	18A	150W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	225V	3.0V	12	11A
IRF1010	基本參數(shù)	60V	2-4V	≥69	50A	84A	200W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	66V	3.2V	67	50A
IRF3205	基本參數(shù)	55V	2-4V	≥44	62A	110A	200W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	60V	2.9V	68	60A
FQP70N08	基本參數(shù)	80V	2-4V	41	35A	70A	155W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	86V	3.2V	46	35A
75NF75	基本參數(shù)	75V	2-4V	20	40A	80A	300W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	81V	3.6V	52	40A
IRFP064	基本參數(shù)	55V	2-4V	≥42	59A	110A	200W	TO-3P
	實(shí)測(cè)參數(shù)	67V	2.5V	57	60A
2SK1120	基本參數(shù)	1000V	2.5-5V	4	4A	8A	150W	TO-3P
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1086V	2.3V	5	4A
G160N60	基本參數(shù)	600V	3.5-6.5V	*	80A	160A	250W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	626V	3.9V	35	60A
H40T120	基本參數(shù)	1200V	5-6.5V	21	40A	75A	270W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1390V	5.7V	20	40A
60N170D	基本參數(shù)	1700V	3.5-7.5V			60A	200W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1798V	4.8V	30	60A

JK9610AMOS管測(cè)試盒

該公司產(chǎn)品分類： PM-83（三頭）等離子表面處理機(jī) PM-82（雙頭）等離子表面處理機(jī) GM-2000等離子表面處理機(jī) PM-V8等離子表面處理機(jī) 等離子處理機(jī) LCR數(shù)字電橋晶體管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀元器件測(cè)試儀器 RC系列帶電繞組溫升測(cè)試儀 JK-X系列多路溫度測(cè)試儀(多路溫度巡檢儀) 溫度儀器儀表 KZA-III 系列叉車充電機(jī) KZA系列智能充電機(jī) TXR1010系列X射線高壓電源 SVC系列單相高精度全自動(dòng)交流穩(wěn)壓器 JSW系列三相精密凈化交流穩(wěn)壓電源 JJW系列單相精密凈化交流穩(wěn)壓器 YFT系列風(fēng)光互補(bǔ)逆變電源 YFN系列正弦波逆變器(逆變電源)

QT2,晶體管圖示儀,二極管測(cè)試儀,MOS管測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀

QT2晶體管圖示儀及二手儀器銷售維修

說明書下載

電路圖紙下載

QT2型晶體管特性圖示儀可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二極管、三極管的低頻直流參數(shù)。
最大集電極電流可達(dá)50A，基本滿足500W以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。
具備高壓測(cè)試能力，可對(duì)3KV（5KV）\\以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，其測(cè)試電流靈敏度可達(dá)到0.5uA/度。
基極階梯信號(hào)具有脈沖階梯輸出，可測(cè)量二次擊穿特性。

集電極掃描信號(hào) （輸出電壓范圍/電流容量）三極管和二極管 0～10V / 50A （脈沖階梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二極管高壓測(cè)試 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）

基極階梯信號(hào)

階梯電流:1uA～200mA/級(jí)，分17檔
階梯電壓:0.05～1V/級(jí)，分5檔
階梯波形:正常（100%），脈沖（10～40%）

Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

集電極電流:1uA～5A/度，分21檔
二極管電流:1～500uA/div，分9檔
集電極及二極管電流倍率:×0.5

X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

集電極電壓:10mV～50V/度，分12檔
二極管電流:100～500V/度，分3檔
基電極電壓:10mV～1V/度，分7檔

一般性能

顯示面10×10div（1div=0.8cm）
視在功率約80VA
約300VA（最大功率）
外形尺寸 30×40×52cm
重量 30kg

反向擊穿電壓測(cè)試

VCBO 集電極 - 基極（發(fā)射極開路）
VEBO 發(fā)射極 - 基極（集電極開路）
VCEO 集電極 - 發(fā)射極（基極開路）
VCER 集電極 - 發(fā)射極（基極與發(fā)射極間電阻連接）
VCES 集電極 - 發(fā)射極（基極與發(fā)射極短路）

各種特性曲線

V_CE - I_C 共發(fā)射極（基極信號(hào)為變量）
I_B - I_C 共發(fā)射極
V_BE - I_B 共發(fā)射極
V_BE - I_O 共發(fā)射極

該公司產(chǎn)品分類：微波信號(hào)源 IQ調(diào)制信號(hào)源網(wǎng)絡(luò)分析儀動(dòng)態(tài)信號(hào)分析儀射頻信號(hào)發(fā)生器視頻分析儀音頻分析儀探頭電纜測(cè)試線電視信號(hào)發(fā)生器音頻信號(hào)發(fā)生器噪聲發(fā)生器任意波發(fā)生器函數(shù)信號(hào)源脈沖信號(hào)源 RF信號(hào)源高頻信號(hào)源低頻信號(hào)源信號(hào)發(fā)生器手持示波表二手?jǐn)?shù)字示波器