1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
工業(yè)用薄膜鉑熱電阻作為新代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度。
| 熱電阻類別 | 分度號(hào) | 精度等級(jí) | 測(cè)溫范圍℃ | 允許偏差△t ℃ |
| WZP型薄膜鉑熱電阻 | Pt100 | B級(jí) | -79～600 | ±（0.3 +0.005︱t︱） |
| 型 號(hào) | 尺寸mm | 0℃標(biāo)稱電阻 | 測(cè)溫范圍℃ | ||||
| d | b | w | i | ø | |||
| MWFT-1 | 0.5 | 4 | 2 | 8 | 0.2 | 100Ω | -79～400 |
| MWFT-2 | 0.5 | 10 | 3 | 10 | 0.2 | 100Ω | -79～500 |
| MWFT-3 | 0.5 | 15 | 3 | 10 | 0.25 | 100Ω | -79～600 |
薄膜鉑熱電阻芯片(日本) CRZ鉑金薄膜鉑熱電阻芯片是一個(gè)劃時(shí)代溫度傳感器發(fā)展的產(chǎn)物。采用進(jìn)高科技方法，像激光噴鍍，顯微照相和平版印刷光刻技術(shù)。而電阻值則以數(shù)字修整方式作出微調(diào)，因而能提供最精確的電阻值。1: 技術(shù)性能描述＊ 產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，＊ 溫度系數(shù) R100/R0=1.3851＊ 經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時(shí)的阻值。＊ 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑特制而成，在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在 -50 ℃ ∽ 500 ℃ 的溫度下使用.＊ 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性能。＊ 薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。＊ 鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外，尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。＊ 精度：除了提供A級(jí)和B 級(jí)外，尚有更精確的1/3B級(jí)供用戶選用。2: CRZ系列產(chǎn)品規(guī)格＊ 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 500 ℃ .＊ 精度: A級(jí)，B級(jí)，尚有更精確的1/3B級(jí)。＊ 規(guī)定電流（mA）2mA（最大）＊ 引線材料： 鈀金合金。 型號(hào) 分度號(hào) 規(guī)定電流 精度 尺寸(寬＊長(zhǎng)＊厚)mmCRZ-1632-100 Pt100 1mA A,B 1.6X3.2X1.0CRZ-2005-100 Pt100 1mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-500 Pt500 0.5mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-1000 Pt1000 0.5mA 2.0X5.0X1.03: CRX系列產(chǎn)品規(guī)格 （圓柱型)＊ 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 4OO ℃＊ 精度: A級(jí)，B級(jí)＊ 規(guī)定電流: 2mA（最大）＊ 引線材料： 鈀金合金＊ 引線尺寸： CRX-2805 0.15 X 0.25 X 10 mm CRX-3208 0.2 X 0.3 X 8 mm型 號(hào) 分度號(hào) 規(guī)定電流 芯片數(shù)量 尺寸(直徑＊長(zhǎng))CRX-2805-100 Pt 100 1mA 1xPt100 Φ2.8X5CRX-3208-100 Pt 100 1mA 1xPt100 Φ3.2X5CRX-3208-100 Pt 100 1mA 2XPt100 Φ3.2X84: 容限與物理特性精度 公差 公差阻值（0℃ 熱電阻系數(shù)（α）(Ohm/Ohm/deg.C)1/3B＊ +/-(0.1+0.0017t) +/-0.04 Ohm 0.003851+/-0.000004A +/-(0.15+0.002t) +/-0.06 Ohm 0.003851+/-0.000005B +/-(0.3+0.005t) +/-0.12 Ohm 0.003851+/-0.0000122B +/-(0.6+0.01t) +/-0.25 Ohm 0.003851+/-0.0000245: 穩(wěn)定性描述 連續(xù)加溫1000小時(shí)（400℃） CRZ-1632的誤差范圍（0℃）為0.008 Ohm(0.02℃)以內(nèi)。6: 自動(dòng)加溫 由於電流流經(jīng)電阻元件會(huì)是其加溫，故此規(guī)定電流《1mA7: 應(yīng)用范圍＊ CRZ 膜片鉑熱電阻芯片廣泛應(yīng)用于世界各地儀器儀表制造業(yè)，用于制造各種溫度傳感器。＊ 特別是對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域更適合。＊ 廣泛應(yīng)用于世界各地戶型和熱電聯(lián)產(chǎn)熱量表配對(duì)溫度傳感器的制造。＊ 應(yīng)用于軸瓦，缸體，油，水，汽管，中央空調(diào)，熱水器等狹小空間工業(yè)設(shè)備測(cè)溫和控制。＊ 其它測(cè)溫控制領(lǐng)域。(PH值溫度補(bǔ)償?shù)?
薄膜鉑電阻元件一、 概述 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。二、 技術(shù)特點(diǎn)1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。5． 規(guī)格：型號(hào) 規(guī)格長(zhǎng)×寬×高 阻值 測(cè)量電流 精度 測(cè)量范圍 熱響應(yīng)時(shí)間CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3SCRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃ CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃ 6． 精度：等級(jí) α 0℃時(shí)的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002tB 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t